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　　在高端市场，AI产业化的加速落地直接引爆了存储需求。不同于传统服务器，AI服务器需要承载大规模数据训练、高频次数据运算，对HBM（高带宽存储）、高端DDR5内存及企业级SSD的需求量呈爆发式增长，单台AI服务器的存储需求量更是达到传统服务器的8-10倍。其中，HBM凭借超高带宽、低延迟的核心优势，成功破解了AI运算中的“内存墙”技术瓶颈，成为AI算力基建的核心战略级资源，目前2026年全球三大存储巨头的HBM产能已全部提前售罄，部分头部AI企业甚至提前签订2027年长期供货协议。

　　在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。

　　彼时，新兴技术正从边缘切入，重构存储生态。比如MRAM（磁阻存储器）兼具SRAM速度、DRAM密度与Flash非易失性，已在车规级MCU、工业控制器中商用，三星、台积电、英特尔等均在持续推进该技术进展。ReRAM（阻变存储器）单元面积小，读写速度是NAND的1000倍，同时功耗可以降低15倍。CXL（Compute Express Link）虽非存储介质，却是内存池化的关键。通过CXL，服务器可将多个DRAM/HBM模块虚拟为统一内存池，大幅提升AI训练效率。Intel、AMD、三星正推动其成为下一代数据中心标配。不过，新兴存储并非要“取代”DRAM或NAND，而是填补其无法覆盖的“价值缝隙”。未来将是“传统+新兴”的分层共存格局。

　　CoWoS先进封装可谓HBM的黄金搭档。随着全球对于高性能计算（HPC）及人工智能（AI）芯片需求的持续增长，也推动了对于台积电CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）先进封装产能的需求暴涨，虽然台积电持续扩大产能，但依然难以满足市场需求，成为了限制HPC及AI芯片产能的另一关键瓶颈。这也使得部分客户考虑寻求台积电CoWoS以外的替代方案，其中就包括英特尔的EMIB-T先进封装技术。

　　三星在先进节点中积极应用FOPLP技术，其用于可穿戴设备的Exynos W920处理器结合了5纳米EUV工艺与FOPLP方案；谷歌已在Tensor G4芯片中采用三星的FOPLP技术；AMD、英伟达等公司正与台积电及OSAT供应商合作，计划将FOPLP整合至其下一代芯片产品。中国大陆厂商也在积极布局FOPLP领域，华润微电子、成都奕斯伟、中科四合等已进入该领域，部分具备量产能力。

　　2026年1月份，三星电子与SK海力士已向服务器、PC及智能手机用DRAM客户提出涨价，今年一季度报价将较去年第四季度上涨60%-70%。闪迪计划在3月期间，将其用于企业级固态硬盘（SSD）的高容量3D NAND闪存芯片价格环比上调超过100%，并要求客户支付全额现金预付款。力成、华东、南茂等存储封测厂产能利用率近乎满载，陆续调升封测价格，调幅上看三成，后续不排除启动第二波涨价。